当光罩上图形线宽尺寸接近📉光源波长时，☐衍射将会十分明显🞏📇😰。
光刻机内部光路对于光线的俘☂获能力是有限的，如果没有足够的能量到达光刻胶上，光刻胶将无法充分反应，使得其尺寸和厚度不能达到要求。
在🏜后续的显影、刻蚀工艺😒🀷中起不到应有的作用，🅵导致工艺的失败。
所以用这个方法，😸🆎步🀼🂋🍓进到7n，就做不下去了。因为从原理上就出现了问题。
7n💛💧🔌之后，必须使用euv光刻机，那个对🎦📒🚐中国🅵禁运的光刻机，就是这个道理。
在这个🍰阶段，它还不是个问题。阻碍晶圆工艺进步的主要原因，来自生产设备，工艺，而不是原理。
任何事情都有利有弊。
这种技术的优点非常突出。那就是不需改变现有设备，或者是🀞♞做很少的改变，就可以达到提高晶圆工艺的要求。
但弊端也很突出。
第一个弊端，麻烦。
这个技术的思想雏形，第一📉次出现在130n阶段，第一次完整出现，则是在30n阶段。
为什么出现得这么晚
每道图层，都要进行分解，想想就麻烦得很啊。这🞍个方法，完全是没有办😁法的办法🚪🖍。
换个高精度的光🇪刻机及其配套工艺，一下子不就解决了嘛这也是在30n之前，基本上无人往这个方向思考的原因。
其次，成本。